HCD离子镀的特色

HCD离子镀的特色：1、离化率高，高能中性粒子密度大。HCD电子枪发生的等离子电子束既是镀料汽化的热源，又是蒸气粒子的离子源。其束流具有数百安和几十电子伏能量，比其他离子镀办法高100倍。因而HCD的离化率可达20%～40%，离子密度可达（1-9）*1015(cm2.s) -1，比其他离子镀高1-2个数量级。在堆积过程中还发生很多的高能中性粒子，其数量比其他离子镀高2-3个数量级。这是因为放电气体和蒸气粒子在经过空心阴极发生的等离子区时，与离子发生了共振型电荷交流磕碰，使每个粒子平均可带有几电子伏至几十电子伏的能量。因为很多离子和高能中性粒子的炮击，即便基片偏压比较低，也能起到杰出的溅射清洁效果。一起，高荷能粒子炮击也促进了基-膜原子间的联系和分散，以及膜层原子的分散搬迁，因而，提高了膜层的附着力和致密度，可获得高质量的金属、合金或化合物镀层。

2、绕镀性好。因为HCD离子镀工作气压为1.33～0.133Pa，蒸腾原子受气体分子的散射效应大，一起金属原子的离化率高，很多金属离子受基板负电位的招引效果，因而具有较好的绕镀性。

3、HCD电子枪选用低电压大电流工作，操作安全、简便、易推行。

文章整理，镀膜机http://www.ydzk.com/