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真空镀膜技术的通常术语及技术(下)


真空镀膜技术的通常术语及技术(下)


2.1.8激光束蒸腾laserbeamevaporation:经过激光束加热蒸腾资料的蒸腾。


   2.1.9直接加热的蒸腾indirectheatingevaporation:在加热设备(例如小舟形蒸腾器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸腾资料取得蒸腾所有必要的热量并经过热传导或热辐射办法传递给蒸腾资料的蒸腾。


   2.1.10闪蒸flashevaportion:将极少量的蒸腾资料连续地做瞬时的蒸腾。


   2.2真空溅射vacuumsputtering:在真空中,惰性气体离子从靶外表上炮击出原子(分子)或原子团的进程。


   2.2.1反响性真空溅射reactivevacuumsputtering:经过与气体的反响取得抱负化学成分的膜层资料的真空溅射。


   2.2.2偏压溅射biassputtering:在溅射进程中,将偏压施加于基片以及膜层的溅射。


   2.2.3直流二级溅射directcurrentdiodesputtering:经过二个电极间的直流电压,使气体自我克制放电并把靶作为阴极的溅射。


   2.2.4非对称性沟通溅射asymmtricalternatecurrentsputtering:经过二个电极间的非对称性沟通电压,使气体自我克制放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。


   2.2.5高频二极溅射highfrequencydiodesputtering:经过二个电极间的高频电压取得高频放电而使靶极取得负电位的溅射。


   2.2.6热阴极直流溅射(三极型溅射)hotcathodedirectcurrentsputtering:借助于热阴极和阳极取得非自我克制气体放电,气体放电所发生的离子,由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电压加快而炮击靶的溅射。


   2.2.7热阴极高频溅射(三极型溅射)hotcathodehighfrequencysputtering:借助于热阴极和阳极取得非自我克制气体放电,气体放电发生的离子,在靶外表负电位的效果下加快而炮击靶的溅射。


   2.2.8离子束溅射ionbeamsputtering:使用特别的离子源取得的离子束使靶的溅射。


   2.2.9辉光放电清洁glowdischargecleaning:使用辉光放电原理,使基片以及膜层外表饱尝气体放电炮击的清洁进程。


   2.3物理气相堆积;PVDphysicalvapordeposition:在真空状态下,镀膜资料经蒸腾或溅射等物理办法气化,堆积到基片上的一种制取膜层的办法。


   2.4化学气相堆积;CVDchemicalvapordeposition:必定化学配比的反响气体,在特定激活条件下(通常是必定高的温度),经过气相化学反响生成新的膜层资料堆积到基片上制取膜层的一种办法。


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